| 型号： | IPD12N03LB G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
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| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A TO-252 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPD12N03LB G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 52W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPD12N03LB G-ND IPD12N03LBGINTR IPD12N03LBGXT SP000016413 |